Massenproduktion des ersten 512 GB eUFS 3.0-Speicherchips von Samsung

Samsung hat angekündigt, mit der Massenproduktion von 512 GB eUFS 3.0-Speicher zu beginnen. Dies wäre eine Premiere für die Mobilfunkbranche, da derzeit noch alle anderen Smartphones eUFS 2.1-Speicherchips verwenden. Leider werden diese Chips in der „nächsten Generation von Smartphones“ verwendet und sind in den neuen Geräten der S10-Serie nicht vorhanden. Es wurde jedoch gemunkelt, dass Samsung die Speicherchips in seinem neuen Samsung Galaxy Fold-Gerät vorstellen könnte.

Cheol Choi, Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics, erklärte dies „Der Beginn der Massenproduktion unserer eUFS 3.0-Produktreihe verschafft uns einen großen Vorteil auf dem Mobilfunkmarkt der nächsten Generation, auf den wir eine Speicherlesegeschwindigkeit bringen, die zuvor nur auf ultraschlanken Laptops verfügbar war.“

Das 512 GB eUFS 3.0 wird mit einem 512 GB V-NAND-Chip der fünften Generation ausgestattet sein und über einen Hochleistungscontroller verfügen. Es werden Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2.100 MB / s erwartet, die mehr als doppelt so schnell sind wie die aktuellen eUFS 2.1-Chips. Die neuen Chips sind in Bezug auf die Speicherleistung angeblich so schnell wie die neuesten ultraschlanken Laptops. Andererseits wird die Schreibgeschwindigkeit angeblich bei etwa 410 MB / s liegen, was sie in den gleichen Geschwindigkeitsbereich wie SATA-SSDs bringen würde. Darüber hinaus hat die Anzahl der Eingabe- / Ausgabeoperationen pro Sekunde (IOPS) zugenommen und 63.000 zufällige Lese-IOPS und 68.000 zufällige Schreib-IOPS durchgeführt. Mit diesen Geschwindigkeiten können Sie einen Full HD-Film in nur 3 Sekunden von einem Smartphone auf Ihren Laptop übertragen.

eUFS 3.0

Dies wird ohne Zweifel Druck auf die Wettbewerber ausüben, eUFS 3.0-Speicherchips in zukünftigen Telefonen hinzuzufügen. Daher können wir davon ausgehen, dass bald mehr Unternehmen den Standard übernehmen werden.